Samsung Lanzará Chips de Inteligencia Artificial de Baja Potencia y Alta Velocidad en 2024

Previsto para el 2024, Samsung introducirá en el mercado sus DRAMs de Baja Latencia y Amplio Ancho de Banda (LLW), una propuesta de alto rendimiento diseñada para optimizar la eficiencia energética de las aplicaciones de inteligencia artificial (IA). Estos chips vanguardistas prometen un ahorro energético del 70% en comparación con los DRAMs tradicionales, situándolos como los protagonistas de la próxima generación de semiconductores de la compañía.

Chips insignia en dispositivos con IA

Los LLW DRAM se integrarán como componentes claves en dispositivos de IA, incluyendo los cascos de realidad extendida. Samsung planea que estos chips impulsen sus ventas en el sector de fundición de semiconductores especializados en IA, representando aproximadamente el 50% del total de sus ventas de fundición en un plazo de cinco años.

Características avanzadas del LLW DRAM

El LLW DRAM de Samsung es una memoria de bajo consumo que se caracteriza por su amplio I/O y baja latencia, y se destaca por ofrecer un ancho de banda impresionante de 128 GB/s, que se presume es por módulo. Este nuevo tipo de chip de IA amplía la velocidad y la capacidad de procesamiento de datos al aumentar el número de terminales de entrada/salida (I/O) en un circuito semiconductor, comparado con los DRAMs existentes.

Aprovechando el 3D y los procesos de 3 nm

En 2024, Samsung revelará una avanzada tecnología de empaquetado de chips en tres dimensiones (3D), incluyendo la tecnología de empaquetado más avanzada 3.5D. Además, Samsung continuará mejorando la tecnología de procesamiento de chips de 3 nanómetros (nm), la cual es actualmente el nodo de proceso más pequeño y avant-garde de la industria, adecuándola para aplicaciones de IA.

Ya en 2023, Samsung inició la producción en masa de chips de 3 nm para clientes fabless, adelantándose a su competencia directa, TSMC de Taiwán. Asimismo, la compañía ha perfeccionado los rendimientos de producción de su tecnología de proceso de primera generación de 3 nm.

Según los planes anunciados, Samsung mejorará el rendimiento de la memoria en 2.2 veces cada dos años.

La Estrategia GDP

Samsung ha adoptado la estrategia GDP, que comprende nuevas tecnologías GAA, DRAM y de empaquetado. GAA, que significa 'gate-all-around', es una arquitectura que reduce la corriente de fuga en procesadores con un ancho de circuito de 3 nm o menos. Este es el pilar fundamental para el desarrollo de las próximas generaciones de DRAMs y tecnología de empaquetado de Samsung.

Colaboración con Tesla

Samsung también está trabajando con Tesla en el desarrollo de chips de conducción totalmente autónoma (FSD) de próxima generación para vehículos de autónomo nivel 5. Con tal fin, Samsung desarrollará un acelerador de IA de 4 nm, una máquina de computación de alto rendimiento utilizada para procesar cargas de trabajo de IA.

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